宝宫 BIS:重新定义共模浪涌防护

电路设计中不可忽视的干扰源

在照明、电源、工业控制等领域,浪涌保护是产品可靠性的第一道防线。而在实际应用中,差模(DM)与共模(CM)浪涌的应对策略往往被混为一谈,导致防护不到位、产品频繁失效。

Boarden宝宫电子率先推出具备独立知识产权的隔离型浪涌保护器BIS(Boarden Isolation Surge Protector),突破传统共模浪涌与隔离难以兼顾的技术瓶颈,为LED、驱动、工业设备等系统提供了更可靠的防护路径。


差模与共模浪涌:不仅是方向不同

类型电流路径干扰来源防护重点
差模浪涌(DM)L ↔ N雷击感应、电源开关扰动L-N间尖峰抑制
共模浪涌(CML/N → PE雷电、电磁耦合、地电位波动L/N相对地残压控制

差模浪涌通常使用MOV、TVS等传统防护器件进行钳位。而共模浪涌因其作用于对地路径,常被忽视,但却是户外、工业照明等系统故障的主因之一。


行业现状:共模浪涌防护仍存在三大痛点

  1. 防护器件电压不稳定:GDT等传统共模器件存在±20%以上的动作电压偏差,稳定性差。
  2. 残压过高:普通GDT+MOV方案共模残压常高于3200V,已超出常规铝基板2000~2500V的耐压极限,极易导致LED灯板击穿。
  3. 响应慢、误动作率高:GDT易误触发或误动作,无法适应高密度LED应用对“稳定性+一致性”的要求。

Boarden BIS解决方案:重新定义共模浪涌防护

为了解决上述问题,宝宫推出了业内领先的BIS浪涌保护方案,具备以下五大技术优势:

优势BIS表现相比GDT
🔧 电压一致性误差控制在±10%以内GDT高达±20%
⚡ 响应速度快速响应,抑制初次浪涌慢,易误触发
📉 残压表现共模残压可低至1900~2200VGDT方案常高于3200V
🔁 冲击稳定性多次浪涌后特性保持稳定GDT特性波动大,易失效
⚙️ 阻抗匹配与MOV阻抗匹配,稳定分压与MOV不匹配,保护失效

BIS的应用典范:户外与工业照明共模浪涌保护

在非隔离或线性LED电源中,共模浪涌常通过铝基板传导,对绝缘层施加高电压。市面上大量灯具采用耐压不足2500V的铝基板,若无BIS,传统方案无法控制残压在安全范围内,极易击穿。

📌 Boarden推荐方案

  • 产品选型:DS602-S(SMB封装)、BR602-LM(DO-27封装)
  • 搭配压敏电阻MOV使用,构成低残压共模保护回路
  • 经验证,整灯残压可控制在2200V以内,通过EN60598安规测试

差模BIS(DM-BIS):RCD吸收方案的升级替代

除共模外,BIS也可用于差模浪涌防护,替代传统的RCD吸收电路。通过在CMS系列压敏电阻与BIS两端并联电阻,形成稳定分压结构,可有效钳制L-N间过电压,并降低触发误差。

⚠️ 注:当前DM-BIS适用于桥后电路,主推200A电流规格,不强制安规申报,可灵活应用于多种LED驱动/小功率电源中。


设计建议与调试参考

项目建议说明
PCB布线MOV采样点应接在FR1/FR2之前,避免残压升高
整灯验证建议进行≥10组耐压与浪涌实测,保障批量一致性
MOV搭配需匹配适当电压等级,避免BIS触发提前/滞后
电源类型适用于非隔离开关电源与线性方案,线性结构效果更稳定

从器件选择到系统验证,宝宫Boarden BIS正在定义行业新标准

在传统GDT面临电压波动、响应不稳定、无法精准控制残压的背景下,Boarden BIS系列产品以其稳定性、精度与一致性,为LED驱动、电源管理、电力照明等行业提供了真正可复制、可规模应用的共模/差模浪涌防护新方案。

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